رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDC602P_F095
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDC602P_F095-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
المخزون:
12835847
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
B9uu
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDC602P_F095 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1456 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
FDC602
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSL207SPH6327XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
11992
DiGi رقم الجزء
BSL207SPH6327XTSA1-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDC602P
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
11530
DiGi رقم الجزء
FDC602P-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
PMN42XPEAX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2935
DiGi رقم الجزء
PMN42XPEAX-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLW630ATM
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
FQPF6N80
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
