رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SD734E
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SD734E-DG
وصف:
2SD734 - NPN EPITAXIAL PLANAR SI
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 700 mA 250MHz 600 mW Through Hole 3-NP
المخزون:
30260 قطع جديدة أصلية في المخزون
12967716
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SD734E المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
700 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
20 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 50mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
600 mW
التردد - الانتقال
250MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
-
تأهيل
-
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
حزمة جهاز المورد
3-NP
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,025
اسماء اخرى
2156-2SD734E-488
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Vendor Undefined
حالة الوصول
REACH Affected
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FP210-TL-E
BIP PNP+PNP 2A 50V
2SD1828
2SD1828 - POWER BIPOLAR TRANSIST
BF570,215
NEXPERIA BF570 - SMALL SIGNAL BI