رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SD1805G-E
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SD1805G-E-DG
وصف:
TRANS NPN 20V 5A TP
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 5 A 120MHz 1 W Through Hole TP
المخزون:
12835914
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SD1805G-E المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
20 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 60mA, 3A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
280 @ 500mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
120MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
TP
رقم المنتج الأساسي
2SD1805
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
ONSONS2SD1805G-E
2156-2SD1805G-E
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SA1381ESTU
TRANS PNP 300V 0.1A TO126-3
2SB1302S-TD-E
TRANS PNP 20V 5A PCP
BC337-40RL1G
TRANS NPN 45V 0.8A TO92
