رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N5401BU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N5401BU-DG
وصف:
BJT TO92 150V PNP 0.625W 150C
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 600 mA 400MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
المخزون:
12834166
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
dv7j
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N5401BU المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
600 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
150 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 10mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
625 mW
التردد - الانتقال
400MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
رقم المنتج الأساسي
2N5401
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2N5401
2N5401-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
2N5401YBU
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
60032
DiGi رقم الجزء
2N5401YBU-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
