رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUK652R7-30C,127
Product Overview
المُصنّع:
NXP USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUK652R7-30C,127-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 204W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
12867376
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
cxqZ
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUK652R7-30C,127 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
-
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.8V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6960 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
204W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
BUK65
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
954-BUK652R7-30C127
NEXNXPBUK652R7-30C,127
568-7494-5
934064251127
BUK652R7-30C,127-DG
BUK652R730C127
2156-BUK652R7-30C127-NX
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFK21N100F
MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
IRF520SPBF
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
IRFB13N50A
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
