الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Qatar
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Qatar
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BCV65,215
Product Overview
المُصنّع:
NXP Semiconductors
رقم الجزء DiGi Electronics:
BCV65,215-DG
وصف:
NEXPERIA BCV65 - SMALL SIGNAL BI
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 30V 100mA 250mW Surface Mount SOT-143B
المخزون:
4561 قطع جديدة أصلية في المخزون
12967658
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
L
M
p
2
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BCV65,215 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
-
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
650mV @ 5mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
15nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
75 @ 2mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
250mW
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-253-4, TO-253AA
حزمة جهاز المورد
SOT-143B
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BCV65,215 Datasheet
مخططات البيانات
BCV65,215
ورقة بيانات HTML
BCV65,215-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,561
اسماء اخرى
2156-BCV65,215-954
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BCM847DS/DG/B2 115
NEXPERIA BCM847DS - SMALL SIGNAL
PBSS5112PAP,115
NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG
CA3096CM96
3 NPN, 2 PNP TRANSISTOR ARRAY
EMT2DXV6T5G
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,