رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTE88MCP
Product Overview
المُصنّع:
NTE Electronics, Inc
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTE88MCP-DG
وصف:
TRANS PNP 250V 10A TO3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 10 A 4MHz 200 W Through Hole TO-3
المخزون:
9 قطع جديدة أصلية في المخزون
12923265
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
XFq8
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTE88MCP المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
NTE Electronics, Inc.
تعبئة
Bag
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
10 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
250 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
2.5V @ 400mA, 4A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1mA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
20 @ 2A, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
200 W
التردد - الانتقال
4MHz
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-204AA, TO-3
حزمة جهاز المورد
TO-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2368-NTE88MCP
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
