رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MMIX2F60N50P3
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
MMIX2F60N50P3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 500V 30A (Tc) 320W Surface Mount 24-SMPD
المخزون:
12915659
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MMIX2F60N50P3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Polar3™
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
96nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6250pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
320W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
24-SMD Module, 9 Leads
حزمة جهاز المورد
24-SMPD
رقم المنتج الأساسي
MMIX2F60
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
20
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI6966DQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
SI4908DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 5A 8SOIC
SI7909DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A PPAK 1212