رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTU8N70X2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTU8N70X2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 700V 8A TO251-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 700 V 8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-251-3
المخزون:
64 قطع جديدة أصلية في المخزون
12819672
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
AAgR
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTU8N70X2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Ultra X2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
700 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
500mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
800 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-251-3
العبوة / العلبة
TO-251-3 Stub Leads, IPak
رقم المنتج الأساسي
IXTU8
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
70
اسماء اخرى
-IXTU8N70X2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTF1N250
MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
IXTH50N30
MOSFET N-CH 300V 50A TO247
IXTP01N100D
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB