رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTT80N20L
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTT80N20L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 80A TO268
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 80A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268AA
المخزون:
12821845
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTT80N20L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Linear
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
32mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6160 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
520W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-268AA
العبوة / العلبة
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
رقم المنتج الأساسي
IXTT80
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTH200N075T
MOSFET N-CH 75V 200A TO247
IXTA26P10T
MOSFET P-CH 100V 26A TO263
IXTQ140N10P
MOSFET N-CH 100V 140A TO3P