رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTP1N100P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTP1N100P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 1A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
142 قطع جديدة أصلية في المخزون
12819610
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTP1N100P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
331 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXTP1
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFN120N20
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
IXTX600N04T2
MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247-3
IXTA180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO263
