رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTN120N25
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTN120N25-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 730W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
المخزون:
12820848
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
jy4E
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTN120N25 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
MegaMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
360 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
730W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-227B
العبوة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
رقم المنتج الأساسي
IXTN120
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTV22N60P
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
IXTV03N400S
MOSFET N-CH 4000V 300MA PLUS220
IXFK32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
