IXTK170N10P
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTK170N10P

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTK170N10P-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 170A TO264
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 170A (Tc) 715W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12820600
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
al46
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTK170N10P المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
170A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
198 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
715W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-264 (IXTK)
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
IXTK170

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
IXT(K,Q,T)170N10P Building, Home Automation Appl Guide

معلومات إضافية

الباقة القياسية
25

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXTH280N055T

MOSFET N-CH 55V 280A TO247

littelfuse

IXFT7N90Q

MOSFET N-CH 900V 7A TO268

littelfuse

IXFX44N80Q3

MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3

littelfuse

IXFH88N20Q

MOSFET N-CH 200V 88A TO247AD