رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTA90N15T
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTA90N15T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 90A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 90A (Tc) 455W (Tc) Surface Mount TO-263AA
المخزون:
12914774
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTA90N15T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
Trench
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
90A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
455W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AA
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXTA90
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SQM85N15-19_GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SQM85N15-19_GE3-DG
سعر الوحدة
1.54
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB200N15N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1774
DiGi رقم الجزء
IPB200N15N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
1.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SUM85N15-19-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
875
DiGi رقم الجزء
SUM85N15-19-E3-DG
سعر الوحدة
2.60
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI3415-TP
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
SI4427BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
SI2323DS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
