رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFX60N55Q2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFX60N55Q2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 550 V 60A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
المخزون:
12913047
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
2sbZ
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFX60N55Q2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™, Q2 Class
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
550 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
88mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6900 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
735W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PLUS247™-3
العبوة / العلبة
TO-247-3 Variant
رقم المنتج الأساسي
IXFX60
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFZ34L
MOSFET N-CH 60V 30A TO262-3
IRFPC40PBF
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3
IRFPS40N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247