رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFT18N100Q3
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFT18N100Q3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 18A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount TO-268AA
المخزون:
12819433
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
GJFN
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFT18N100Q3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Q3 Class
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
660mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
6.5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4890 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
830W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-268AA
العبوة / العلبة
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
رقم المنتج الأساسي
IXFT18
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH120N25X3
MOSFET N-CH 250V 120A TO247
IXFT26N50
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
IXTP42N25P
MOSFET N-CH 250V 42A TO220AB
