رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFR48N60Q3
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFR48N60Q3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 500W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
المخزون:
12821230
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
qF3L
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFR48N60Q3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Q3 Class
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
32A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
154mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
6.5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7020 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ISOPLUS247™
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXFR48
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FCH165N60E
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
473
DiGi رقم الجزء
FCH165N60E-DG
سعر الوحدة
2.86
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCH170N60
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
11513
DiGi رقم الجزء
FCH170N60-DG
سعر الوحدة
2.97
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6024KNZ1C9
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
3
DiGi رقم الجزء
R6024KNZ1C9-DG
سعر الوحدة
3.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH80N65X2
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
IXFN130N30
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
IXFN300N10P
MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
