رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFH230N075T2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFH230N075T2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 230A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
المخزون:
12820476
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
zLcr
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFH230N075T2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, TrenchT2™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
230A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
480W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AD (IXFH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXFH230
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFP2907PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2867
DiGi رقم الجزء
IRFP2907PBF-DG
سعر الوحدة
2.55
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFP3306PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
970
DiGi رقم الجزء
IRFP3306PBF-DG
سعر الوحدة
1.37
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH76N07-12
MOSFET N-CH 70V 76A TO247AD
IXFT88N28P
MOSFET N-CH 280V 88A TO268
IXFH170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD