الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Qatar
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Qatar
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7501TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7501TRPBF-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8™
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12804202
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7501TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.4A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
700mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
260pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
1.25W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
حزمة جهاز المورد
Micro8™
رقم المنتج الأساسي
IRF7501
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IRF7501PbF
مخططات البيانات
IRF7501TRPBF
ورقة بيانات HTML
IRF7501TRPBF-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRF7501TRPBF-DG
SP001575316
Q2235500
IRF7501TRPBFCT
IRF7501TRPBFTR
IRF7501TRPBFDKR
Q3145294
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7503TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
111165
DiGi رقم الجزء
IRF7503TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.20
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7311TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
IRF7905PBF
MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
IRF6802SDTRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFETSA
IRF7338PBF
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO