رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB024N08N5ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB024N08N5ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
990 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800645
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB024N08N5ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 154µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8970 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
214W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB024
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IPB024N08N5ATMA1-DG
448-IPB024N08N5ATMA1TR
INFINFIPB024N08N5ATMA1
448-IPB024N08N5ATMA1DKR
SP001227044
2156-IPB024N08N5ATMA1
448-IPB024N08N5ATMA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD15N06S2L64ATMA2
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
IPD60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO252-3
BSS138NL6433HTMA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
