رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCPF600N60Z
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCPF600N60Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
171833 قطع جديدة أصلية في المخزون
12947117
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
jYf7
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCPF600N60Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
SuperFET® II
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1120 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
235
اسماء اخرى
2156-FCPF600N60Z
ONSONSFCPF600N60Z
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRF4104STRL
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
STB30NF20
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
FDMS8027S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1