رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMN6A25GTA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMN6A25GTA-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 4.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
المخزون:
21837 قطع جديدة أصلية في المخزون
12902828
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMN6A25GTA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1063 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-3
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
ZXMN6
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
ZXMN6A25GTACT
ZXMN6A25GTATR
ZXMN6A25GTADKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMP2035UVT-7
MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
IXTP80N075L2
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
ZXMP3A16N8TA
MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
