رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMT64M8LCG-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMT64M8LCG-7-DG
وصف:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 16.1A (Ta), 77.8A (Tc) 990mW (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
المخزون:
12978931
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
FzHW
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMT64M8LCG-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.1A (Ta), 77.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
47.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2664 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
990mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
V-DFN3333-8 (Type B)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
31-DMT64M8LCG-7DKR
31-DMT64M8LCG-7CT
31-DMT64M8LCG-7TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMT64M8LCG-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMT64M8LCG-13-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMT32M4LPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
DMP32D9UFO-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604
DMT35M4LFDF4-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN2020
