رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN66D0LDWQ-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN66D0LDWQ-7-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 115mA (Tc) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-363
المخزون:
13000670
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN66D0LDWQ-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
115mA (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6Ohm @ 115mA, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.9nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
29.3pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
400mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
DMN66
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
31-DMN66D0LDWQ-7TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMTH4014LDVW-13
MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333
MSCSM120AM31CTBL1NG
SIC 2N-CH 1200V 79A
DMP31D7LDWQ-7
MOSFET 2P-CH 30V 0.55A SOT363