رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN3021LFDF-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN3021LFDF-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 11.8A 6UDFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 11.8A (Ta) 2.03W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
المخزون:
12949814
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN3021LFDF-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
706 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.03W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
U-DFN2020-6 (Type F)
العبوة / العلبة
6-UDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
DMN3021
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMPB13XNE,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
22326
DiGi رقم الجزء
PMPB13XNE,115-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMN3021LFDF-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
20850
DiGi رقم الجزء
DMN3021LFDF-7-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK12E80W,S1X
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
TK62J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
DMPH6250SQ-13
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
