رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN3008SFGQ-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN3008SFGQ-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 17.6A (Ta), 62A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
المخزون:
12949592
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN3008SFGQ-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17.6A (Ta), 62A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.4mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3690 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
900mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
DMN3008
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN3008SFGQ-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
16000
DiGi رقم الجزء
DMN3008SFGQ-7-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
RJK03M3DPA-00#J5A
المُصنِّع
Renesas Electronics Corporation
الكمية المتاحة
6000
DiGi رقم الجزء
RJK03M3DPA-00#J5A-DG
سعر الوحدة
0.68
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM10N80CZ C0G
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
DMN62D0SFD-7
MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
ZVNL110ASTOA
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
