رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN2710UT-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN2710UT-13-DG
وصف:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 870mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-523
المخزون:
12999685
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN2710UT-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
870mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±6V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
42 pF @ 16 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
320mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-523
العبوة / العلبة
SOT-523
رقم المنتج الأساسي
DMN2710
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
31-DMN2710UT-13TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN2710UTQ-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1532
DiGi رقم الجزء
DMN2710UTQ-7-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI6423DQ-T1-BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
60N06
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
G7P03L
P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
