رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN2310UW-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN2310UW-7-DG
وصف:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 450mW (Ta) Surface Mount SOT-323
المخزون:
2344 قطع جديدة أصلية في المخزون
12978895
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN2310UW-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
200mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
950mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
38 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
450mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-323
العبوة / العلبة
SC-70, SOT-323
رقم المنتج الأساسي
DMN2310
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
31-DMN2310UW-7TR
31-DMN2310UW-7CT
31-DMN2310UW-7DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN2310UW-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMN2310UW-13-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
DMN2310UWQ-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMN2310UWQ-7-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMTH8008LFGQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
AUIRL3705ZL
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
DMTH8028LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
