رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMG6301UDW-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMG6301UDW-7-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 25V 240mA 300mW Surface Mount SOT-363
المخزون:
2990 قطع جديدة أصلية في المخزون
12892010
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMG6301UDW-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
240mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.36nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
27.9pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
DMG6301
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DMG6301UDW-7DITR
DMG6301UDW-7DIDKR
DMG6301UDW-7DICT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDG6301N
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
69606
DiGi رقم الجزء
FDG6301N-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PJT7828_R1_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
3505
DiGi رقم الجزء
PJT7828_R1_00001-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMC21D1UDA-7B
MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFN
DMN2004DWK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
DMNH6065SPDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
