DMG4N60SJ3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMG4N60SJ3

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMG4N60SJ3-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 3A TO251
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251

المخزون:

12891862
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMG4N60SJ3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
532 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
41W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-251
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
DMG4

معلومات إضافية

الباقة القياسية
75

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMP1009UFDF-13

MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN

diodes

DMN2020UFCL-7

MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6

diodes

DMN2040U-13

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 1

diodes

DMN2029UVT-13

MOSFET N-CH 6.8A TSOT26