رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS138DW-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS138DW-7-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 50V 200mA 200mW Surface Mount SOT-363
المخزون:
12905106
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
NKEZ
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS138DW-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
BSS138
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSS138DW7
BSS138DW
BSS138DWDICT
BSS138DWDITR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI1902DL-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
34190
DiGi رقم الجزء
SI1902DL-T1-E3-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDG6301N
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
69606
DiGi رقم الجزء
FDG6301N-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BSS138DW-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
16991
DiGi رقم الجزء
BSS138DW-7-F-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMN3G32DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
HTMN5130SSD-13
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SO
ZXMD63P02XTA
MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
